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    数(shù)明(míng)半导(dǎo)体将参加电机驱动与控制论坛

    2021-08-25
    随着工业(yè)化、信(xìn)息化程度不断提高,电机正朝(cháo)着(zhe)高效化、小型化、集(jí)成化、驱(qū)动一体化方向纵深发展,传统电机驱(qū)动技术已(yǐ)经不(bú)能满(mǎn)足用户(hù)的新(xīn)需求。未来预计集(jí)成一(yī)体(tǐ)化、永磁高效(xiào)化和(hé)数字智能化将是电机驱动技术的发展趋势。

    2021年8月26日,数(shù)明半导体将参加由Aspencore在深圳圣(shèng)淘沙酒店(diàn)主办(bàn)的电机驱动与控制论(lùn)坛。本次会(huì)议(yì)特邀多位原厂(chǎng)专家亲临现(xiàn)场(chǎng),探讨电机驱动技术的发展趋势并(bìng)解析各种(zhǒng)控制技术演进。

    在(zài)会议现场,九游官方端入口和数明半导体FAE总监(jiān)——卢(lú)祥超先生(shēng)将(jiāng)进行《利用非隔离半(bàn)桥提升电机驱动系统的可靠性(xìng)》主题演讲。除(chú)技术演(yǎn)讲外,九游官方端入口和数明半(bàn)导体还将在现(xiàn)场重点展示(shì)120V 集(jí)成自(zì)举二极管(guǎn)的高(gāo)频高低边驱(qū)动器 SLM27211


    高频N沟道MOSFET驱动(dòng)器SLM27211在(zài)片(piàn)内集(jí)成了一个额定电压为 120V 的(de)自举二极(jí)管(guǎn),因此无需采用外部分立式二极管。高(gāo)侧(cè)和(hé)低侧驱动器均(jun1)配有(yǒu)欠压锁定(dìng)功能,可提供对(duì)称(chēng)的导通和关断行为,并且能够在驱动电(diàn)压低于指(zhǐ)定阈(yù)值时(shí)将输出(chū)强制(zhì)为低电平。


    ◆ 3.5A/4A 的驱动能力

    ◆ 22nS延迟时间

    ◆ 工作(zuò)电压8V-17V

    ◆ 输入支持TTL和CMOS逻辑(jí)

    ◆ 输入可耐(nài)受-5V

    ◆ 欠压(yā)保护

    ◆ 工作温度范围:-40℃-125℃

    ◆ 封装:SO8,ESOP8,DFN8 4mm x 4mm,DFN10 4mm x 4mm


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