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SiLM27517H

单通道 20V, 4A/5A 高欠压保（bǎo）护低边门极驱动器（qì）

样片申请

SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet

产品概述

产（chǎn）品特性

安规认（rèn）证

典（diǎn）型应（yīng）用图

产（chǎn）品概述

SiLM27517H 系列是单通（tōng）道高欠压保护（hù）低（dī）边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和（hé）IGBT等功（gōng）率开（kāi）关。SiLM27517H 采用一种能够从内部极大的（de）降低直通电流的设计，将（jiāng）高（gāo）峰值（zhí）的源（yuán）电流和灌电流脉冲（chōng）提（tí）供给电容（róng）负载，以实现轨到轨的驱（qū）动能力和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。

SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供（gòng）电情况下（xià），能够提供 4A 的峰值源（yuán）电流和 5A 的峰值灌电流。SiLM27517H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特（tè）性（xìng）

低成本的门极（jí）驱动方（fāng）案可用于替代（dài） NPN和 PNP 分离器件方案

4A的（de）峰值（zhí）源电流和 5A 的峰值（zhí）灌电流能力

快速（sù）的（de）传播延时（典型值为 18ns）

快（kuài）速的上升和下降时间（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源（yuán）范围

SiLM27517H 欠（qiàn）压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和（hé） CMOS 的（de）输入逻辑电压阈值（zhí）

双输入设计(可选择（zé）反相或非反相驱（qū）动配置（zhì）)

输（shū）入浮（fú）空时输出保（bǎo）持为低

工作温（wēn）度（dù）范（fàn）围为 -40°C 到 140°C