SiLM27512器件是单通（tōng）道高速低边门极驱动器，可有（yǒu）效驱（qū）动MOSFET和IGBT等（děng）功率（lǜ）开关。SiLM27512采用一种能够从（cóng）内部极大的降低直通电（diàn）流的（de）设计，将高峰值的（de）源电流和（hé）灌电流脉冲提供给电容（róng）负载，以实（shí）现（xiàn）轨到轨的驱动能力和（hé）典（diǎn）型值仅为 18ns 的极小传（chuán）播延迟。
SiLM27512在12V的VDD供（gòng）电情况下，能（néng）够提（tí）供4A的峰值源电（diàn）流和5A的峰值（zhí）灌电流。
低成本的门极驱（qū）动方（fāng）案可用于替代 NPN和 PNP 分离器（qì）件方案
4A 的峰值源电流和5A的（de）峰（fēng）值灌电流能（néng）力
快速的传输（shū）延时（典型（xíng）值为 18ns）
快速（sù）的上升和下降时间（jiān）（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围（wéi）
VDD 欠压（yā）闭锁功能
兼容（róng） TTL 和（hé） CMOS 的输入逻辑电（diàn）压阈值
双输入（rù）设（shè）计(可选择反相或非（fēi）反相驱动配置（zhì）)
输入浮空时输出（chū）保持为低（dī）
工（gōng）作温度范围为（wéi） -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的封装选项
400 080 9938
