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    样片申请(qǐng) | 简体中文
    SiLM27511H
    单通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动器(qì)
    样片申请
    SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet
    产(chǎn)品概述
    产品(pǐn)特性
    安规(guī)认证
    典型应用图
    产品概述

    SiLM27511H系列是单通道高欠压(yā)保护低边门极驱动器,可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27511H 采用一种能够从(cóng)内(nèi)部极大的降低直通电流的设计,将高(gāo)峰(fēng)值的(de)源电流(liú)和灌(guàn)电流脉冲提供给电(diàn)容负载(zǎi),以实(shí)现轨到轨的驱动能力和(hé)典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。

    SiLM27511H 在(zài) 15V 的 VDD 供电情况(kuàng)下,能(néng)够提供(gòng) 4A 的峰值(zhí)源电流和 5A 的峰(fēng)值灌电流。SiLM27511H 欠压锁(suǒ)定保护 (UVLO)12.5/11.5V。


    产品特性

    低成(chéng)本的门极驱动方案可用于替代 NPN和(hé) PNP 分离器件方案

    4A的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流能力

    快速的传播延时(典型值为 18ns)

    快速的上升和下降时间(典型值为 9ns/6ns)

    13.5V 到(dào) 20V 的单电源范围

    SiLM27511H 欠(qiàn)压锁定(dìng)保护 (UVLO)12.5/11.5V

    兼容 TTL 和 CMOS 的输入(rù)逻辑电压阈值

    双输入设计(可选择反(fǎn)相或非反(fǎn)相驱动配置)

    输入浮空时输出(chū)保持为低(dī)

    工作(zuò)温(wēn)度范围(wéi)为 -40°C 到 140°C

    SiLM27511H 提供 SOT23-6 的封装选项(xiàng)

    安规认(rèn)证
    典型应用图

    27511H.png

    产品参数表

    展开过滤器(qì)
    Part Number Power Switch IOH/IOL(A) Input VCC (V) Prop. Delay(ns) Tr/Tf Typ. (ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
    SiLM27511HAC-7GIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOT23-6Reel/3000
    SiLM27511HCJ-AQIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOP14Reel/2500
    应用案例(lì)

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