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    样片申请 | 简体中文（wén）
    SLM2009
    200V低压驱动芯片（piàn）
    样片申（shēn）请
    SLM2009 Datasheet
    产（chǎn）品概述（shù）
    产品特性
    安规认证（zhèng）
    典型应用图
    产品概述

    SLM2009 是一（yī）款（kuǎn）高（gāo）压（yā）、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有（yǒu）的高压集成电路（lù）和锁存免（miǎn）疫的CMOS技术可提供（gòng）可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最（zuì）低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有（yǒu）高脉（mò）冲电流缓冲级，以减小驱动器（qì）交叉导通。浮动通道可用于驱动（dòng）高边配置的N型沟道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作（zuò）电压可高达200V。

    产品特（tè）性（xìng）

    为自举操作设计的浮动通道

    完全运行时电压高达 200V

    容许瞬间负电压（yā），不（bú）受 dV/dt 影响

    驱动（dòng）电源范围从 10V 到 18V

    欠压闭（bì）锁

    3.3V、5V 逻（luó）辑（jí）输入兼容

    驱动电流 ：1A/1.5A

    防止交叉（chā）导通逻辑

    两通道间（jiān）匹配传输延迟（chí）

    输出信号（hào）与输入信号同相

    通过无铅认证

    提供 SOP-8 封装（zhuāng）选项

    典型（xíng）的开通/关断延时：150 ns/150 ns

    死区（qū）时间：110 ns

    安规认证
    典（diǎn）型（xíng）应用图

    2009.png

    产品（pǐn）参数表

    展开过滤器
    Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage （Max）（V） Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp（℃） Package Group Packing/QTY
    SLM2009CA-DGIGBT/ MOSFET1/1.520010-18150/15025/1011060-40-125SOP8Reel/4000
    应用案（àn）例（lì）

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