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SLM2005E

200V低压驱动芯（xīn）片（piàn）

样（yàng）片（piàn）申请

SLM2005E Datasheet

产品概述

产品特性

安（ān）规认证（zhèng）

典型应用图（tú）

产品概述

SLM2005E 是一款高压、高速的（de）功率MOSFET和（hé）IGBT驱（qū）动器（qì）。采用专（zhuān）有的高压集成电路（lù）和锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可（kě）提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支持3.3V逻辑（jí）。输出驱动（dòng）器具有高脉冲电流缓冲级，以（yǐ）减小驱动器交叉导通。浮动通道（dào）可用于驱动（dòng）高边配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性

为自（zì）举操作设计的浮（fú）动通道

完全（quán）运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱（qū）动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容（róng）

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻（luó）辑

两通道（dào）间匹配传输延迟

输出信号与（yǔ）输入信号（hào）同相

通过无铅认证（zhèng）